杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司陈勇获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司申请的专利功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222674847U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420161543.0，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型功率半导体器件是由陈勇;张邵华;杨青森;陈琛;刘块设计研发完成，并于2024-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种功率半导体器件，功率半导体器件中的多个第二沟槽沿第一方向和第二方向排列且相互连通，每个第一沟槽位于由第二沟槽围绕的区域中，以使得第一沟槽的俯视形状为矩形片状，可以减小屏蔽栅带来的寄生电阻，从而降低了寄生电阻带来的延时。另外功率半导体器件中的第一沟槽的宽度与长度的比值为1:1.2～1:2，避免了屏蔽栅引出存在的光刻胶附着区域小的情况，减小了工艺加工难度，另外还可以避免工艺加工一致性带来的可靠性问题。进一步地，功率半导体器件中的屏蔽栅直接与源区电连接并引出源极电极，避免了高速开关过程中开启均匀性问题。
本实用新型功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面；位于所述衬底第一表面的半导体层；位于所述半导体层中的多个第一沟槽；位于所述多个第一沟槽内的屏蔽栅介质层、屏蔽栅，所述屏蔽栅介质层覆盖第一沟槽的侧壁和底部，所述屏蔽栅介质层将所述屏蔽栅与所述半导体层隔离；位于所述半导体层中的多个第二沟槽；位于所述多个第二沟槽内的控制栅介质层、控制栅，所述控制栅介质层覆盖第二沟槽的侧壁和底部，所述控制栅介质层将所述控制栅与所述半导体层隔离；位于所述半导体层中的体区，所述体区邻近所述多个第一沟槽和多个第二沟槽的上部；位于所述体区中的源区；与所述源区和所述屏蔽栅电连接的源极电极；位于所述衬底的第二表面的漏极电极；以及与所述控制栅电连接的栅极电极，其中，所述多个第二沟槽沿第一方向和第二方向延伸且相互连通，第一方向和第二方向垂直，每个所述第一沟槽位于由所述第二沟槽围绕的区域中，所述第一沟槽的俯视图形为矩形，所述第一沟槽的宽度与长度的比值为1:1.2～1:2。
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