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龙图腾网恭喜甘肃省科学院传感技术研究所申请的专利一种高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153479B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411299251.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器及其制备方法是由赵季杰;王向谦;员朝鑫;谢明玲;刘斌;马彬彬;王兆龙;孟双艳;卢启海;高晓平设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器及其制备方法，属于图像传感器及其制备技术领域，该图像传感器，由下至上依次包括：读出电路层；金属下电极层；宽光谱量子点材料电子传输层，所述量子点材料为P型量子点薄膜；具有微纳陷光结构的宽光谱量子点材料空穴传输层，所述量子点材料为N型量子点薄膜；透明上电极层；支撑层；以及光偏振层。采用PbS量子点或HgTe量子点材料可以实现宽光谱响应，且CMOS工艺兼容性好；光偏振层分光效果优异，光利用率高；同时像素采用红、绿、蓝、红外四种亚像素组成，利用红、绿、蓝三亚像素获得物质的颜色信息，利用红外亚像素获得物质的材料信息，从而获得高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器。

本发明授权一种高灵敏宽光谱真彩色量子点图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点图像传感器，其特征在于，由下至上依次包括：读出电路层；金属下电极层；所述金属下电极层中的每个像素单元内，设置呈“田”字型的四个亚像素单元；相邻的两个所述亚像素单元的间距为0.5μm-2μm；量子点材料电子传输层，所述量子点材料为P型量子点薄膜；具有微纳陷光结构的量子点材料空穴传输层，厚为400-1000nm，所述量子点材料为N型量子点薄膜；所述微纳陷光结构为采用纳米压印从量子点材料空穴传输层的上表面制备得到，所述微纳陷光结构的形状为柱状或圆台状，高度为空穴传输层的40%-100%；透明上电极层；支撑层；以及光偏振层；所述光偏振层为氮化硅薄膜层或钛酸钡薄膜层或硼硅酸盐玻璃薄膜层，且具有贯穿所述光偏振层的微纳结构；从垂直于所述光偏振层方向来看，所述微纳结构的形状为方形和或“×”形，可将光谱分光为红、绿、蓝、红外光线，并折射到红、绿、蓝、红外四个亚像素单元。

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