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龙图腾网恭喜华引芯(武汉)科技有限公司申请的专利一种发光元件的制备方法及发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117374189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311264936.0，技术领域涉及：H10H20/832；该发明授权一种发光元件的制备方法及发光元件是由请求不公布姓名;徐晓丽;杜治新;刘芳;徐威;孙雷蒙设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光元件的制备方法及发光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种发光元件的制备方法，通过在P型半导体层的表面蒸镀NiAl金属层结构，形成NiAl反射电极；在P型半导体层表面及NiAl反射电极上方蒸镀NiAu金属层结构，形成NiAu欧姆接触电极，以形成一种分离式P面电极结构。其中，NiAu作为欧姆接触电极，NiAl作为反射电极结构。这样相比常规NiAu反射电极，此新型P面反射电极反射率更高；相比常规的NiAl反射电极，此新型P面反射电极欧姆接触性能更佳。本发明提出一种分离式P面电极结构，分离式NiAl作为反射金属层用以提升光反射率，覆盖式NiAu作为欧姆接触金属用以降低接触势垒。采用这种分离式P面电极结构，可以有效平衡上述欧姆接触势垒和反射率性能，从而提升器件的发光效率。

本发明授权一种发光元件的制备方法及发光元件在权利要求书中公布了：1.一种发光元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；刻蚀穿透所述P型半导体层和所述量子阱层，以形成一凹槽；在所述凹槽处制备N型电极；在所述P型半导体层的表面蒸镀NiAl金属层结构，通过光刻工艺使其呈现周期性阵列结构，以形成NiAl反射电极；在所述P型半导体层表面及所述NiAl反射电极上方蒸镀NiAu金属层结构，以形成包覆所述NiAl反射电极的NiAu欧姆接触电极，对NiAu欧姆接触电极进行退火，其中，退火温度为400℃至650℃，退火气氛为氮气和氧气混合气体；在所述NiAu欧姆接触电极和所述N型电极上方蒸镀一层包覆所述NiAl反射电极和NiAu欧姆接触电极的保护金属；在外延区域上方镀第一钝化层；在所述第一钝化层上方蒸镀上一层侧壁反射金属结构；在外延区域上方镀上第二钝化层；在所述第二钝化层蚀刻区域上方通过蒸镀形成金属焊盘。

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