恭喜长鑫存储技术有限公司张永会获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构与半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117673033B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211067996.9，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构与半导体结构的形成方法是由张永会设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构与半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底、第一缓冲结构、第二缓冲结构和导电结构，衬底包括相背的第一面和第二面；第一缓冲结构位于所述衬底中，且沿第一方向延伸，所述第一方向为由所述第一面指向所述第二面的方向；第二缓冲结构位于所述第一缓冲结构的部分侧壁上，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；导电结构位于所述第一缓冲结构中，且沿所述第一方向延伸。本公开提供的半导体结构提高了应力释放能力，改善了半导体结构中应力集中的问题。
本发明授权半导体结构与半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括相背的第一面和第二面；第一缓冲结构，位于所述衬底中，且沿第一方向延伸，所述第一方向为由所述第一面指向所述第二面的方向；第二缓冲结构，位于所述第一缓冲结构的部分侧壁上，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；以及导电结构，位于所述第一缓冲结构中，且沿所述第一方向延伸；所述第一缓冲结构的侧壁上具有凸起部，所述凸起部具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相交，所述第二缓冲结构在所述第一表面上沿所述第二方向延伸；以及阻挡结构，位于所述凸起部的所述第一表面上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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