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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种动态存储器操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115240728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210909473.8，技术领域涉及：G11C11/406；该发明授权一种动态存储器操作方法是由童浩;汪宾浩;缪向水设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种动态存储器操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种动态存储器操作方法，包括如下步骤：按照预先设定的间隔时间T对动态存储器进行刷新操作，同时实时接收操作指令，当接收到操作指令时，根据操作指令中被选中存储单元的位置信息对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中读取的状态数据暂存在读缓冲器中，其中，间隔时间T小于写操作时存储单元中电容的电压值下降到读操作正确读出该存储单元状态数据的临界电容电压值所需的时间t；然后再根据操作指令中操作指令类型信息对被选中存储单元进行相应操作，其中，在每次读操作后需进行一次刷新操作的执行步骤。本发明即使在被选中存储单元中电容发生漏电时，也能有效确保该存储单元进行读、写操作的正常操作。

本发明授权一种动态存储器操作方法在权利要求书中公布了：1.一种动态存储器操作方法，其特征在于，所述动态存储器包括相互垂直排布的字线、位线及位于字线与位线之间阵列排布的存储单元，所述存储单元包括串联的电容和两端选通器件，该两端选通器件具有双向导通特性以及具有导通阈值电压VTH和保持电压Vhold，所述方法包括如下步骤：1按照预先设定的间隔时间T对动态存储器进行刷新操作，同时实时接收操作指令，当接收到操作指令时根据操作指令中被选中存储单元的位置信息对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中读取的状态数据进行暂存；其中，间隔时间T小于写操作时存储单元中电容的电压值下降到读操作正确读取该存储单元状态数据的临界电容电压值所需的时间t；2根据操作指令中操作指令类型信息对被选中存储单元进行相应操作，若接收到的操作指令类型为读操作时，则将暂存的数据输出至对应的IO口，然后执行步骤3；若接收到的操作指令类型为刷新操作时，执行步骤3；若接收到的操作指令类型为写操作时，执行步骤4；3对被选中存储单元进行写入状态1操作，然后判断暂存的被选中存储单元的数据，若暂存的数据是状态1，则结束操作，若暂存的数据是状态0，则再对被选中存储单元写入状态0操作；4获取并根据所述写操作的操作信息，对所述被选中存储单元进行写入状态1或状态0操作；步骤1中，所述对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中读取的状态数据进行暂存的步骤，具体为：a在与被选中存储单元相连的位线上施加一位线电压VBLread，在与被选中存储单元相连的字线上施加一字线电压VWlread，从而在待读取存储单元的两端产生大小为Vread的读电压，该读电压Vread用于使处于状态0的被选中存储单元中的两端选通器件继续保持断开，使处于状态1的被选中存储单元中的两端选通器件打开，使其从状态1变成状态0，并产生读电流；b检测与被选中存储单元相连的位线上是否有读电流，若有读电流，则判断被选中存储单元处于状态1，并输出状态1信号，否则判断被选中存储单元处于状态0，并输出状态0信号；c将输出的状态信号发送至读缓冲器进行数据暂存；在步骤a中，所述读电压Vread满足如下关系：Vread-VC1＞VTH，Vread-VC0＜VTH，式中，VC1为存储单元处于状态1时电容电压，VC0为存储单元处于状态0时电容电压。

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