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龙图腾网恭喜北京青禾晶元半导体科技有限责任公司申请的专利一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114318286B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210100410.8，技术领域涉及：C23C14/56；该发明授权一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法是由郭超;母凤文设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及复合基板的制备技术领域，公开一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法。其中复合基板的制备装置包括：物理气相沉积腔室，为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件，物理气相沉积组件能够对基板本体的表面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室，能够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二真空腔室，键合腔室内设有加压组件；移动组件，移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的基板本体转移至键合腔室内，加压组件能够将至少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板。本发明公开的复合基板的制备装置，具有稳定性好、材料的利用率高及成品率高的特点。

本发明授权一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合基板的制备装置，其特征在于，包括：物理气相沉积腔室（1），为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件，所述物理气相沉积组件能够对基板本体（100）的表面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室（3），能够与所述物理气相沉积腔室（1）连通或者隔绝且为第二真空腔室，所述键合腔室（3）内设有加压组件（4）；移动组件，所述移动组件能够将所述物理气相沉积腔室（1）内带所述镀层的所述基板本体（100）转移至所述键合腔室（3）内，所述加压组件4能够将至少两个镀膜后的所述基板本体（100）键合形成复合基板，所述加压组件（4）对所述基板本体（100）施加压力的过程中，无需加热基板；所述物理气相沉积组件包括：盛料件（21），用于盛放金属物料（200）；电子枪（22），发射的电子束（300）能够进入所述盛料件（21），所述电子束（300）能够气化所述金属物料（200）以使所述基板本体（100）正对所述盛料件（21）的一侧形成所述镀层；所述物理气相沉积组件包括偏转线圈，所述偏转线圈产生的磁场能够改变所述电子束（300）的移动方向以使所述电子束（300）进入所述盛料件（21）内；所述偏转线圈产生的磁场包括第一磁场和第二磁场，所述第一磁场能够使所述电子束（300）在预设平面内偏转预设角度，所述第二磁场能够使所述电子束（300）沿垂直于所述预设平面的方向移动；所述物理气相沉积组件还包括转动组件，所述转动组件包括旋转动力件和转盘，所述旋转动力件的输出端与所述转盘的中心相连，所述转盘上设有至少两个沿周向排布的所述盛料件（21），所述旋转动力件能够通过所述转盘带动所述盛料件（21）旋转；所述复合基板的制备装置还包括位于所述物理气相沉积腔室（1）和所述键合腔室（3）之间的表面处理腔室（5），所述表面处理腔室（5）内设有第一表面处理组件，所述第一表面处理组件包括至少一个第一表面处理件（6），所述第一表面处理件（6）为粒子源或者光源，每个所述第一表面处理件（6）均能够对至少一个所述基板本体（100）的所述镀层进行表面处理，所述表面处理腔室（5）为第三真空腔室，所述移动组件能够将所述物理气相沉积腔室（1）内带所述镀层的所述基板本体（100）转移至所述表面处理腔室（5），还能够将表面处理后的所述基板本体（100）转移至所述键合腔室（3）。

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