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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种基于三端阻变器件的三态门电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114189242B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210053726.6，技术领域涉及：H03K19/20；该发明授权一种基于三端阻变器件的三态门电路是由曹继芳;崔学成;夏文泰;赵家艺;叶佳宝;田庆;陈冰;刘冬设计研发完成，并于2022-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三端阻变器件的三态门电路在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种基于三端阻变器件的三态门电路。本发明利用具有两个阻态的单个三端阻变器件来构建三态门电路。三端阻变器件比双端阻变器件多一个侧边控制电压输入端口。与传统CMOS三态输出门相比，基于三端阻变器件的三态门电路器件数量由多个减少到单个器件，提高了集成密度，且具有非挥发性，降低了功耗。

本发明授权一种基于三端阻变器件的三态门电路在权利要求书中公布了：1.一种基于三端阻变器件的三态门电路，所述三态门电路的输出包括高电平、低电平及高阻态，其特征在于，所述三端阻变器件具有顶端、底端和侧端；所述三端阻变器件包括第一金属层，通过所述第一金属层引出底端，在所述第一金属层上表面形成金属钽氧化物层，在所述金属钽氧化物层上表面形成金属钽层，所述金属钽层上表面和侧边，以及所述金属钽氧化物层侧边均包围隔离层，在所述隔离层顶部形成第二金属层，通过所述第二金属层引出顶端，在所述隔离层侧边形成第三金属层，通过所述第三金属层引出侧端；对所述三端阻变器件进行赋值操作以控制三端阻变器件的阻值状态，通过在三端阻变器件的三端施加电压来赋值，包括：当三端阻变器件的顶端接负电压-Vp1、底端接地GND、侧端接正电压Vdd1，三端阻变器件被置为高阻状态，此时三态门电路的输出为高阻态；当三端阻变器件的顶端接正电压Vp2、底端接地GND、侧端接正电压Vdd2，三端阻变器件被置为低阻状态，此时三态门电路的输出为高电平或低电平；其中，Vp1≥|Vreset|，Vp2≥|Vset|，Vdd1≥|Vdd|，Vdd2≥|Vdd|，Vreset为三端阻变器件置为高阻状态所需阈值电压，Vset为三端阻变器件置为低阻状态所需阈值电压，Vdd为使三端阻变器件可阻变的侧端阈值电压；在赋值后，三端阻变器件的侧端接地GND，此时可实现三态输出门，包括：若三端阻变器件为低阻状态且三端阻变器件顶端输入高电平，则三端阻变器件底端输出高电平；若三端阻变器件为低阻状态且三端阻变器件顶端输入低电平，则三端阻变器件底端输出低电平；若三端阻变器件为高阻状态，则三端阻变器件底端输出高阻态。

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