恭喜英飞凌科技股份有限公司R·里斯克获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利母衬底、晶片复合体以及制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010849483.8，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权母衬底、晶片复合体以及制造半导体器件的方法是由R·里斯克;A·宾特;W·迪瓦尔德;B·戈勒;H·格拉夫;G·拉克纳;J·里希特;R·鲁普;G·沙格尔;M·施沃博达设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本母衬底、晶片复合体以及制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区110和边缘区180的母衬底100。边缘区180围绕中心区110。在中心区110中形成脱附层150。脱附层150与母衬底100的主表面101、102平行地延伸。脱附层150包括改性的衬底材料。在边缘区180中形成凹槽190。凹槽190在横向上包围中心区110。凹槽190对于脱附层150竖向地和或倾斜地行进。
本发明授权母衬底、晶片复合体以及制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造器件衬底的方法，所述方法包括：提供包括中心区110和边缘区180的母衬底100，其中，边缘区180围绕中心区110；在中心区110中形成脱附层150，其中脱附层150平行于母衬底100的主表面101、102延伸，并且其中脱附层150包括改性的衬底材料；以及在边缘区180中形成凹槽190，其中凹槽190在横向上包围中心区110，其中凹槽190对于脱附层150竖向地和或倾斜地行进，其中凹槽横向界定了脱附层，使得脱附层在到达边缘区之前终止。
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