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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000951.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法是由唐宇坤;罗成志;谢炜;梅国柱设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法，半导体器件包括：半导体本体，栅极结构，位于所述栅极沟槽内；源极结构，位于所述源极沟槽内；漏极，位于所述第二表面；源极，位于所述第一表面，其中，所述源极远离所述漏极一侧的第三表面设置有第一沟槽，所述第一沟槽从所述第三表面延伸至所述源极中；钝化层，位于所述源极远离所述漏极的一侧，其中，至少部分所述钝化层位于所述第一沟槽内。本发明提供一种半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法，提高了钝化层与源极之间的结合力，避免开裂，提高了器件稳定性。

本发明授权半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述半导体本体还包括阱区和第一区域，所述第一区域设置于所述第一表面，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面还设置有栅极沟槽和源极沟槽，所述栅极沟槽和所述源极沟槽均从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；栅极结构，位于所述栅极沟槽内；源极结构，位于所述源极沟槽内；漏极，位于所述第二表面；源极，位于所述第一表面，其中，所述源极远离所述漏极一侧的第三表面设置有第一沟槽，所述第一沟槽从所述第三表面延伸至所述源极中；钝化层，位于所述源极远离所述漏极的一侧，其中，至少部分所述钝化层位于所述第一沟槽内；其中，所述源极结构包括：第一绝缘层，设置在所述源极沟槽的底部和侧壁；至少部分所述源极位于所述第一绝缘层远离所述漏极一侧的所述源极沟槽内；所述第一沟槽在所述漏极上的正投影与所述源极沟槽在所述漏极上的正投影交叠。

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