江苏仲磊芯半导体有限公司张雷获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏仲磊芯半导体有限公司申请的专利一种太阳能电池及其的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118367040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410603171.7，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种太阳能电池及其的制造方法是由张雷;张坤铭;翁妹芝;许堃设计研发完成，并于2024-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池及其的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池及其的制造方法，所述太阳能电池由底层向顶层按生长方向依次为衬底、基区和发射区；所述基区和发射区的材料为AlxGa1‑xyIn1‑yAs；所述基区中有多个晶格常数为a的有源层和多个晶格常数为b的腐蚀层，a和b不相等；所述腐蚀层是在生长第一腐蚀层后，通过腐蚀气体对所述第一腐蚀层的界面进行原位腐蚀而形成的绒面起伏的粗糙界面；所述有源层和腐蚀层交替分布，形成一个重复单元，在每一个重复单元中，有源层位于腐蚀层的底部。所述太阳能电池能够提高太阳能电池的抗辐照性能、吸光能力和转换效率，以及可以提高太阳电池的末期转换效率。
本发明授权一种太阳能电池及其的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：由底层向顶层按生长方向依次为衬底、基区和发射区；所述基区和发射区的材料为AlxGa1-xyIn1-yAs或AlxGa1-xyIn1-yP；所述基区中有多个晶格常数为a的有源层和多个晶格常数为b的腐蚀层，a和b不相等；所述腐蚀层是在生长第一腐蚀层后，通过腐蚀气体对所述第一腐蚀层的界面进行原位腐蚀而形成的绒面起伏的粗糙界面；所述有源层和腐蚀层交替分布，形成一个重复单元，在每一个重复单元中，有源层位于腐蚀层的底部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏仲磊芯半导体有限公司，其通讯地址为：223001 江苏省淮安市淮安区苏嘴镇西茭陵工业集中区1幢3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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