买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西北工业大学申请的专利一种MOS晶体管的总剂量辐射诱发漏电流建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117252137B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311181831.9，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种MOS晶体管的总剂量辐射诱发漏电流建模方法是由高武;徐梓航设计研发完成，并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS晶体管的总剂量辐射诱发漏电流建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOS晶体管的总剂量辐射诱发漏电流建模方法，首先进行辐射数据生成，然后由不同总剂量引起的电流变化量ΔID计算，再根据不同工作区对ΔID建模，建立含MOS管和电流源的SPICE模型，基于精简模型的电流仿真，以及误差分析。本发明的优势在于建立一种精简模型来实现总剂量效应关态漏电流的精确仿真，进一步提高效率和降低成本。

本发明授权一种MOS晶体管的总剂量辐射诱发漏电流建模方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS晶体管的总剂量辐射诱发漏电流建模方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：获取总剂量辐照前后，以及不同总剂量下电流电压数据；步骤2：将不同总剂量下的ID-VGS数据与未辐照的ID-VGS曲线数据做差，得到总剂量效应引起的ID-VGS曲线变化量ΔID，如公式1：IDrad＝IDprerad+ΔID1其中ΔID为总剂量效应引起的ID-VGS曲线变化，IDprerad为辐照前的漏电流，IDrad为辐照后的漏电流；步骤3：依据半导体物理模型，将ΔID划分为弱反型区、强反型区、速度饱和三个区进行建模，ID-VGS公式分别如234所示； 其中，IDSwi表示晶体管弱反型区电流，IDSsi表示晶体管强反型区电流，u表示载流子迁移率，IDSvs表示晶体管速度饱和区电流，VGS为栅源电压，VT为阈值电压，表示弱反型区与强反型区的转变点，表示强反型区与速度饱和区的转变点，因子n与偏置电压相关，在70mV至80mV间，vsat为饱和速率，Cox为单位面积的栅氧化层电容，μ为迁移率，W、L表示器件尺寸，ID0为特征电流，nkTq表示比例因子，k为玻尔兹曼常数，q为电子电量；针对ΔID的建模，在弱反型区以双指数模型逼近；在强反型区以一次函数模型逼近；在速度饱和区取ΔID在该区的均值；步骤4：ΔID建模完成后，在Spectre仿真环境中将ΔID模型用Verilog-A描述，并将ΔID视为由栅源电压以及总剂量控制的电流源，将该电流源与晶体管并联；步骤5：将MOS管电流与电流源电流相加，即表示总剂量辐照后的漏电流，在Spectre中实现基于精简模型的总剂量效应漏电流仿真；步骤6：进行误差分析；计算Spectre仿真器中的ID-VGS曲线与对应辐照剂量下TCAD的ID-VGS曲线的误差，若误差在允许范围以内，则接受ΔID建模；否则，重复拟合过程，修正弱反型区、强反型区、速度饱和的拟合参数，重新进行建模。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北工业大学，其通讯地址为：710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。