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龙图腾网恭喜东莞新科技术研究开发有限公司申请的专利一种半导体虚设元器件的高度控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112735951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911028693.4，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体虚设元器件的高度控制方法是由程丙坤设计研发完成，并于2019-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体虚设元器件的高度控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体虚设元器件的高度控制方法，包括以下步骤：1在半导体虚设元器件的正面切割2～5条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2～5条互相平行的槽，正面和背面的槽数量差值为1，正面的槽和背面的槽互相平行，半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽在平面上的相邻投影间的距离相等且不重合；2在半导体虚设元器件的槽底面和槽侧面沉积形成应力释放层，所述应力释放层的材料为硼硅玻璃或硼磷硅玻璃；3在60～120℃下进行退火处理。本发明方法通过对槽的数量和切割位置的限定，极大的降低了半导体虚设元器件的高度，减少了半导体虚设元器件铺设在半导体元器件的过程中对正常元器件造成阴影。

本发明授权一种半导体虚设元器件的高度控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体虚设元器件的高度控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1在半导体虚设元器件的正面切割2～5条互相平行的槽且在半导体虚设元器件的背面切割2～5条互相平行的槽，半导体虚设元器件正面和半导体虚设元器件背面的槽数量差值为1，半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽互相平行，半导体虚设元器件正面的槽和半导体虚设元器件背面的槽在平面上的相邻投影间的距离相等且不重合；2在半导体虚设元器件的槽底面和槽侧面沉积形成应力释放层，所述应力释放层的材料为硼硅玻璃或硼磷硅玻璃；3将步骤2处理后的半导体虚设元器件在60～120℃下进行退火处理；所述应力释放层的厚度为5～10nm；所述步骤1中，槽的宽度为1.9～2.1mm，槽的深度为0.7～0.9μm。

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