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龙图腾网恭喜上海瀚薪科技有限公司申请的专利一种功率器件布局结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510143168.6，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权一种功率器件布局结构及其制造方法是由陈科成;李隆盛;洪建中;李隆正设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件布局结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提供一种功率器件布局结构及其制造方法，功率器件布局结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞，元胞包括：P型阱区掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、JFET区掺杂区、栅极和源极通孔，每个元胞的第一主岛部分与在第一方向上相邻的元胞的第一辅助臂连接，每个元胞的第一辅助臂与在第二方向上相邻一个元胞的第一辅助臂为相互重合的同一辅助臂；栅极为分裂栅结构，覆盖在JFET区掺杂区、P型阱区掺杂区和N型重掺杂区的边缘或全部的上方。本申请有效解决了平面型功率器件沟道密度较低的技术问题；增加沟道密度的同时又不增加太多的栅漏电容。

本发明授权一种功率器件布局结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件布局结构，其特征在于，所述功率器件布局结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞，所述元胞包括：P型阱区掺杂区，包括第一辅助臂、第二辅助臂、第一主岛部分、第二主岛部分、第一辅助支臂组和第二辅助支臂组，每个元胞的第一主岛部分与在第一方向上相邻的元胞的第一辅助臂连接，每个元胞的第一辅助臂与在第二方向上相邻一个元胞的第一辅助臂为相互重合的同一辅助臂，第一辅助支臂组与在第二方向上相邻的第二辅助支臂组为同一辅助支臂组，所述第一方向为垂直所述第一辅助臂的方向，所述第二方向为平行所述第一辅助臂的方向；N型重掺杂区，所述N型重掺杂区设置在所述P型阱区掺杂区内；P型重掺杂区，所述P型重掺杂区设置在所述第一主岛部分和所述第二主岛部分内；JFET区掺杂区，所述第一辅助臂和第二辅助臂之间为所述JFET区掺杂区；栅极和源极通孔，所述栅极为分裂栅结构，覆盖在所述JFET区掺杂区、所述P型阱区掺杂区和所述N型重掺杂区的边缘或全部的上方，所述分裂栅结构的分裂间距h，h大于等于0。

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