台湾积体电路制造股份有限公司郑凯義获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776522U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421366418.X，技术领域涉及：H10D84/00；该实用新型半导体装置是由郑凯義;王仁磐设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：揭露一种半导体装置。半导体装置包含：基材；在基材上的晶体管，其中晶体管包含源极、漏极及栅极；多层内连接结构，其中多层内连接结构配置以提供源极、漏极及栅极电性连接，且多层内连接结构具有多个内连接层；以及在该多层内连接结构中的金属‑绝缘体‑金属电容器，其中金属‑绝缘体‑金属电容器包含第一电极、高K间隙壁及第二电极，高K间隙壁具有第一垂直延伸侧壁及第二垂直延伸侧壁，第一垂直延伸侧壁与第一电极具有垂直延伸界面，且第二垂直延伸侧壁与第二电极具有垂直延伸界面。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基材；一晶体管，在该基材上，其中该晶体管包含一源极、一漏极及一栅极；一多层内连接结构，其中该多层内连接结构配置以提供该源极、该漏极及该栅极电性连接，且该多层内连接结构具有多个内连接层；以及一金属-绝缘体-金属metal-insulator-metal，MIM电容器，在该多层内连接结构中，其中该金属-绝缘体-金属电容器包含一第一电极、一高K间隙壁及一第二电极，该高K间隙壁具有一第一垂直延伸侧壁及一第二垂直延伸侧壁，该第一垂直延伸侧壁与该第一电极具有一垂直延伸界面，且该第二垂直延伸侧壁与该第二电极具有一垂直延伸界面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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