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龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310562730.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件是由陈伟中;魏子凯;李程;沈文良;张红升设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件集成的自偏置PMOS由P‑body区、N‑CS区、P‑shield区以及PMOS栅氧化层组成，其中P‑shield区作为源极，P‑body区作为漏极，N‑CS区作为衬底。其中自偏置PMOS的栅极和漏极通过金属电极短接在一起从而实现了自偏置功能，栅氧化层与普通NMOS的栅氧化层处于同一平面无需额外制造工艺，便于集成。本发明关断损耗相比传统SJ‑LIGBT器件降低了24％，大幅改善了器件的关断损耗与通态压降之间的折中关系；同时本发明的抗短路性能优异，在外加短路电压为150V时，器件短路工作时间为14.8μs。

本发明授权一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种集成自偏置PMOS的抗短路SJ-LIGBT器件，包括埋氧层3、衬底4、漂移区、阳极区和阴极区，所述衬底4、埋氧层3和漂移区从下至上依次层叠，所述阳极区和阴极区分别位于漂移区两侧；其特征在于：所述漂移区包括漂移区N-pillar5和漂移区P-pillar6；所述阳极区包括阳极P+区1、阳极N-buffer区2和阳极金属电极17，其中阳极N-buffer区2包裹阳极P+区1，阳极金属电极17设置于阳极P+区1上；所述阴极区包括阴极N+区10、阴极P+区11和阴极金属电极16，其中阴极金属电极16设置于阴极P+区11上；该器件还包括P-body区9、N-CS区8、P-shield区7、PMOS栅氧化层12、PMOS栅极金属电极13、NMOS栅氧化层14和NMOS栅极金属电极15；所述P-body区9包裹阴极P+区11和阴极N+区10；所述N-CS区8与P-body区9、P-shield区7和漂移区N-pillar5相邻；所述P-shield区7另与漂移区N-pillar5和漂移区P-pillar6相邻；所述PMOS栅氧化层12和NMOS栅氧化层14与所述阴极金属电极16相邻但不相接，所述PMOS栅极金属电极13位于PMOS栅氧化层12上方，所述NMOS栅极金属电极15位于NMOS栅氧化层14上方；PMOS栅氧化层12、PMOS栅极金属电极13以及阴极P+区11、P-body区9、N-CS区8、阴极金属电极16和P-shield区7构成自偏置PMOS；NMOS栅氧化层14、NMOS栅极金属电极15以及阴极N+区10、P-body区9、N-CS区8、漂移区N-pillar5和阴极金属电极16构成普通NMOS。

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