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龙图腾网恭喜中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种同质集成器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211725754.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种同质集成器件及制备方法是由吕顺鹏;黎大兵;孙晓娟;蒋科;贲建伟;石芝铭设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种同质集成器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供的同质集成器件，包括衬底1、非特异掺杂层2、n型掺杂层3、多量子阱层5、p型掺杂层6、n型接触电极4、p型接触电极7及光波导结构30，本申请提供的同质集成器件，得益于激光蚀刻蓝宝石结合金属掩膜保护工艺，可以高效制备空气氮化物空气光波导结构，其介电常数差异大，光耦合效率更高；得益于p型接触电极中的AgAl材料，可有效反射p面出射的可见光紫外光，可提高探测器接收到的光强；得益于n型接触电极中的AgAl材料，可有效从侧面反射可见光紫外光，并将光集中到光波导结构中，提高光耦合效率。另外，本申请还提供了同质集成器件制备方法。

本发明授权一种同质集成器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种同质集成器件，其特征在于，包括：衬底（1），所述衬底（1）上形成有图案化金属保护牺牲层；非特异掺杂层（2），位于所述图案化金属保护牺牲层上且远离所述衬底（1）的一侧；n型掺杂层（3），位于所述非特异掺杂层（2）上且远离所述衬底（1）的一侧；多量子阱层（5），位于所述n型掺杂层（3）上且远离所述衬底（1）的一侧；p型掺杂层（6），位于所述多量子阱层（5）上且远离所述衬底（1）的一侧；n型接触电极（4），位于所述n型掺杂层（3）上且远离所述衬底（1）的一侧；p型接触电极（7），位于所述p型掺杂层（6）上且远离所述衬底（1）的一侧；所述非特异掺杂层（2）和所述n型掺杂层（3）形成光波导结构（30），所述光波导结构（30）对应位置的衬底（1）的侧面具备激光蚀刻的表面特征，所述光波导结构（30）的上下空气氮化物界面光滑平整，所述光波导结构（30）为空气氮化物空气结构。

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