恭喜青岛海存微电子有限公司范晓飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜青岛海存微电子有限公司申请的专利半导体存储器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411667704.4，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体存储器件及其制作方法是由范晓飞;潘伟良;刘宏喜;王戈飞设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体存储器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体存储器件抗磁能力差的问题。该半导体存储器件包括：依次叠置的磁性层、自旋轨道矩层和磁隧道结单元；磁隧道结单元中的自由层与自旋轨道矩层相邻设置；磁性层与自由层的长轴方向相互平行，通过对自旋轨道矩层施加写入电流，使磁性层和自由层沿磁性层长轴方向的磁化方向相反，以调节半导体存储器件的杂散场，其中，写入电流具有沿磁性层短轴方向的电流分量。本申请实施例可以利用磁性层对杂散场减弱抗磁能力起到抵消作用，对杂散场增强抗磁能力起到促进作用，从而提高半导体存储器件的抗磁能力。
本发明授权半导体存储器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：依次叠置的磁性层、自旋轨道矩层和磁隧道结单元；所述磁隧道结单元中的自由层与所述自旋轨道矩层相邻设置；所述磁性层与所述自由层的长轴方向相互平行，所述自由层与所述磁性层沿所述长轴方向的尺寸大于沿短轴方向的尺寸，通过对所述自旋轨道矩层施加写入电流，使所述磁性层和所述自由层沿所述磁性层长轴方向的磁化方向相反，以调节所述半导体存储器件的杂散场，其中，所述写入电流具有沿所述磁性层短轴方向的电流分量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛海存微电子有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区映山红路117号1栋1605室(原黄岛区科教二路117号1栋研发中心办公室)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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