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龙图腾网恭喜天津工业大学申请的专利基于GaN的倒装共N极全彩微显示阵列及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038699B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311047113.2，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权基于GaN的倒装共N极全彩微显示阵列及制作方法是由刘宏伟;肖秧;孟媛;冯晓雨;王菲;牛萍娟设计研发完成，并于2023-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于GaN的倒装共N极全彩微显示阵列及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaN基发光材料的倒装共N极全彩微显示阵列及制作方法，属于半导体发光芯片和显示应用技术领域，包括MicroLED阵列芯片和支撑电路板，MicroLED阵列芯片包括衬底、缓冲层、共N极高掺杂GaN层、N型GaN导电层、GaNInGaN多量子阱有源区、P型GaN导电层、P电极点、N电极点、二次发光材料层；支撑电路板包括基板、N极线路和P极线路，MicroLED阵列芯片和支撑电路板采用倒装键合的方式连接；本发明能够减少近25％的芯片电极面积损失，提高材料利用率；避免了金属共N极对MicroLED芯片阵列面积的占用，提升分辨率。

本发明授权基于GaN的倒装共N极全彩微显示阵列及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN的倒装共N极全彩微显示阵列，其特征在于，包括MicroLED阵列芯片和支撑电路板，其中：MicroLED阵列芯片包括衬底，位于衬底上表面一侧的缓冲层，位于缓冲层上表面且按行刻蚀形成的共N极高掺杂GaN层，位于共N极高掺杂GaN层上表面按每颗芯片尺寸和位置生长刻蚀形成的N型GaN导电层，位于N型GaN导电层上表面生长并刻蚀形成的GaNInGaN多量子阱有源区，位于GaNInGaN多量子阱有源区上表面生长后刻蚀形成的P型GaN导电层，位于P型GaN导电层上的P电极点，位于共N极高掺杂GaN层上方、阵列芯片两端的N电极点；在衬底的下表面一侧通过挖槽后填充红绿蓝二次发光材料层；支撑电路板包括基板，在基板上刻蚀形成不发生交叠的N极线路和P极线路，N极线路和P极线路引出外接引脚；MicroLED阵列芯片的P电极点、N电极点和支撑电路板的P极线路和N极线路采用倒装键合的方式连接；N极线路和P极线路互相绝缘，P电极列线路为导通，每列共用一列P电极线路；MicroLED阵列芯片和支撑电路板键合连接后，MicroLED阵列芯片由支撑电路板供电，MicroLED阵列芯片每行共用N极线路，每列共用P电极线路，阵列中行列电极线路交叉选中位置的MicroLED由P极线路和N极线路的引脚外接供电发光。

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