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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于TSV的平行线定向耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310261938.8，技术领域涉及：H01P5/18；该发明授权基于TSV的平行线定向耦合器是由王凤娟;李秀智;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于TSV的平行线定向耦合器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TSV的平行线定向耦合器，包括Si衬底，Si衬底内布设有两条由若干TSV组成的平行耦合线，Si衬底的上方设有上层SiO2，上层SiO2内掩埋有上层RDL，Si衬底的下方设有下层SiO2，下层SiO2内掩埋有下层RDL，上层RDL和下层RDL分别与TSV的上下两端连接；连接两条平行耦合线端部TSV的四个上层RDL上分别连接耦合器的输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口，输入端口与直通端口分别位于同一条耦合线的两端端部；耦合端口、隔离端口分别位于同一条耦合线的两端端部。本发明基于TSV技术来实现平行线定向耦合器的小型化，且耦合度较好。

本发明授权基于TSV的平行线定向耦合器在权利要求书中公布了：1.基于TSV的平行线定向耦合器，其特征在于：包括Si衬底（6），Si衬底（6）内布设有两条由若干TSV组成的平行耦合线，Si衬底（6）的上方设有上层SiO2（5），上层SiO2（5）内掩埋有上层RDL，Si衬底（6）的下方设有下层SiO2（7），下层SiO2（7）内掩埋有下层RDL，上层RDL和下层RDL分别与所述TSV的上下两端连接；连接两条平行耦合线端部TSV的四个上层RDL上分别连接耦合器的输入端口（1）、直通端口（2）、耦合端口（3）、隔离端口（4），输入端口（1）与直通端口（2）分别位于同一条耦合线的两端端部；耦合端口（3）、隔离端口（4）分别位于同一条耦合线的两端端部；每条所述耦合线上，各TSV等距依次排布，各TSV依次通过上层RDL和下层RLD进行首尾相接；两条所述平行耦合线上，TSV的数量及排布方式完全相同；所述输入端口（1）与耦合端口（3）位于Si衬底（6）的同一端，直通端口（2）与隔离端口（4）位于Si衬底（6）的同一端；所述上层RDL和下层RDL的材料均为金属铜。

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