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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利使用快速修整序列控制芯部关键尺寸变化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112470259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980049661.4，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权使用快速修整序列控制芯部关键尺寸变化的方法是由普尔凯特·阿加瓦尔;阿德里安·拉沃伊;拉维·库马尔;普鲁肖塔姆·库马尔设计研发完成，并于2019-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用快速修整序列控制芯部关键尺寸变化的方法在说明书摘要公布了：芯部材料的图案形成在晶片上，以包含具有关键尺寸的芯部特征。修整量指示待从芯部特征的竖直定向表面移除的平均厚度量。修整轮廓指示，从芯部特征的竖直定向表面的厚度移除的变化的多少被应用作为晶片上的径向位置的函数。第一组数据将修整量与一或多个等离子体修整工艺参数相关联。第二组数据将修整轮廓与一或多个等离子体修整工艺参数相关联。基于该修整量、修整轮廓以及第一和第二组数据，确定在晶片上达成该修整量及修整轮廓的成组的等离子体修整工艺参数，且对应等离子体修整工艺在晶片上执行。

本发明授权使用快速修整序列控制芯部关键尺寸变化的方法在权利要求书中公布了：1.一种控制芯部关键尺寸的方法，其包含：获取晶片，其中芯部材料的图案形成在所述晶片上，所述芯部材料的所述图案包含具有在水平方向上测得的关键尺寸的一或多个芯部特征，其中所述水平方向平行于所述晶片的底部表面；接收目标修整量作为输入参数，所述目标修整量指示待从所述一或多个芯部特征的竖直定向表面移除的平均厚度量；接收目标修整轮廓作为输入参数，所述目标修整轮廓指示，当执行所述晶片上的所述目标修整量时，从所述一或多个芯部特征的竖直定向表面的厚度移除的变化的多少被应用作为所述晶片的中心与所述晶片的周边边缘之间的在所述晶片上的径向位置的函数；访问第一组数据，所述第一组数据将修整量与一或多个等离子体修整工艺参数相关联；访问第二组数据，其将修整轮廓与一或多个等离子体修整工艺参数相关联；基于所述目标修整量、所述目标修整轮廓、所述第一组数据和所述第二组数据，确定用于在所述晶片上实现所述目标修整量和所述目标修整轮廓的成组的等离子体修整工艺参数；以及使用所述成组的等离子体修整工艺参数，在所述晶片上执行等离子体修整工艺，以建立所述芯部材料的经修改的图案，其包含具有在所述水平方向上测得的经调整的关键尺寸的所述一或多个芯部特征。

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