恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910436105.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2019-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括以下步骤：提供基底，在基底的一侧形成金属栅极沟槽；沿着金属栅极沟槽的宽度延伸方向切割金属栅极沟槽以形成切割沟槽；在金属栅极沟槽内金属栅极沟槽与切割沟槽重叠部分的投影区域内沉积隔离材料，及在切割沟槽的其余区域沉积隔离材料；在金属栅极沟槽的其余区域沉积金属栅极材料以形成金属栅极结构。本发明提供的半导体器件及其形成方法，有效地避免了现有技术中先在基底上形成金属栅极，然后刻蚀该金属栅极形成切割沟槽，而金属栅极的硬度较大，比较难刻蚀，不易形成隔离结构的问题；或者，先形成隔离结构，再形成金属栅极，金属栅极两侧会有基底残留，导致半导体器件的性能不佳的问题。
本发明授权一种半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底，在所述基底的一侧形成金属栅极沟槽；沿着所述金属栅极沟槽的宽度延伸方向切割所述金属栅极沟槽以形成切割沟槽；在所述金属栅极沟槽内所述金属栅极沟槽与所述切割沟槽重叠部分的投影区域内沉积隔离材料以形成隔离结构，以及在所述切割沟槽的其余区域沉积隔离材料；刻蚀去除所述切割沟槽内填充的部分所述隔离材料，以形成切割沟槽开口，所述切割沟槽开口的形状为梭形，且S1≥S2，其中，S1为所述切割沟槽开口的端面的边缘区域到所述基底的距离，S2为所述切割沟槽开口的端面的中间区域到所述基底的距离；在所述金属栅极沟槽的其余区域沉积金属栅极材料以形成金属栅极结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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