恭喜浙江大学杨怡豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119414520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510027018.9，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器是由杨怡豪;李昕睿;陈巧璐;李文浩设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器,包括：谐振腔以及用于耦合电磁波进入谐振腔的楔形波导；所述谐振腔从内到外依次设置有内层、至少一层中间层、隔离层；所述内层、中间层、隔离层由第一光子晶体结构或第二光子晶体结构按二维周期性排列而成；所述内层、中间层、隔离层间第一光子晶体结构和第二光子晶体结构交错排列。本发明实现了在单一谐振器内对不同位置的谐振模式进行精确的选择性激发，通过有效控制各个谐振模式的激发位置，不仅提升了谐振器的工作效率和稳定性，还增强了其在复杂环境下的适应性。
本发明授权一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器在权利要求书中公布了：1.一种二维硅基太赫兹频域的高集成度谐振器，其特征在于，包括：谐振腔以及用于耦合电磁波进入谐振腔的楔形波导；所述谐振腔从内到外依次设置有内层1、至少一层中间层21、…、2i、隔离层3；所述内层1、中间层21、…、2i、隔离层3由第一光子晶体结构或第二光子晶体结构按二维周期性排列而成；所述内层1、中间层21、…、2i、隔离层3间第一光子晶体结构和第二光子晶体结构交错排列。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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