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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种PI辅助Micro-LED巨量转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411679890.3，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种PI辅助Micro-LED巨量转移方法是由庄喆;桑艺萌;陶涛;刘斌设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PI辅助Micro-LED巨量转移方法在说明书摘要公布了：发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。

本发明授权一种PI辅助Micro-LED巨量转移方法在权利要求书中公布了：1.一种PI辅助Micro-LED巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在衬底（1）上制备Micro-LED芯片（2），所述Micro-LED芯片（2）的同侧表面设置n型电极（3）和p型电极（4）；步骤二，在第一基板（7）表面设置结合层（6）、UV解胶层（5）；步骤三，将第一基板（7）与Micro-LED芯片（2）的n型电极（3）和p型电极（4）通过UV解胶层（5）进行临时键合；步骤四，将Micro-LED芯片（2）剥离至UV解胶层（5）上，与衬底（1）分离；步骤五，将Micro-LED芯片（2）远离UV解胶层（5）的表面旋涂PI溶液，加热固化，形成PI固化膜（8）；步骤六，在第二基板（10）表面设置PI半固化膜（9），将PI固化膜（8）与PI半固化膜（9）键合，经UV光照后粘性减弱的UV解胶层（5）与Micro-LED芯片（2）分离，将PI固化膜（8）连接的Micro-LED芯片（2）转移到基于PI半固化膜（9）的第二基板（10）上；步骤七，通过刻蚀选择性去除第二基板（10）上的PI固化膜（8）和PI半固化膜（9），在电路板（12）电极位置蒸镀键合金属（11），使第二基板（10）上的Micro-LED芯片（2）选择性转移到电路板（12）上，所述键合金属（11）与n型电极（3）、p型电极（4）加热键合；步骤八，去除Micro-LED芯片（2）上的PI固化膜（8）和PI半固化膜（9）。

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