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龙图腾网恭喜深圳市国微电子有限公司申请的专利一种耐高压防护器件以及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210466661.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种耐高压防护器件以及制作方法是由杜明;裴国旭;李会羽;陈锡均设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高压防护器件以及制作方法在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体器件技术领域，提供了耐高压防护器件，包括衬底、掩埋层以及外延层，衬底、掩埋层以及外延层依次层叠设置；基于外延层，由外延层边缘任一点指向中心点方向依次设置有第一阱以及高压阱；并在第一阱上设置有第一有源区；高压阱具有三个封闭的环形空置区域，在三个环形空置区域分别设置有第二阱、第三阱以及第四阱；并在第二阱、第三阱以及第四阱上均设置第二有源区、第三有源区以及第四有源区；在高压阱上设置有第五阱，在第五阱设置有第五有源区定，从而解决了现有技术中SCR器件无法应用于超高耐压场合的技术问题。

本发明授权一种耐高压防护器件以及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高压防护器件，其特征在于，包括：衬底；掩埋层；外延层，所述衬底、所述掩埋层以及所述外延层依次层叠设置；基于所述外延层，由外延层边缘任一点指向中心点方向依次设置有第一阱以及高压阱；并在所述第一阱上设置有第一有源区；所述高压阱具有三个封闭的环形结构，所述环形结构内部为空置区域，在三个所述空置区域分别设置有第二阱、第三阱以及第四阱；并在所述第二阱、所述第三阱以及所述第四阱上均设置第二有源区、第三有源区以及第四有源区；在所述高压阱上设置有第五阱，在所述第五阱设置有第五有源区；所述衬底、所述外延层、所述第一阱、所述第二阱、所述第三阱、所述第四阱、第一有源区以及所述第三有源区的掺杂类型为第一类型；所述掩埋层、所述第五阱、所述第二有源区、所述第四有源区以及所述第五有源区的掺杂类型为第二类型；所述第一类型与所述第二类型不同。

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