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龙图腾网恭喜深圳原子半导体科技有限公司申请的专利光编芯片反射性能的仿真方法、装置、存储介质和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114722588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210284632.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权光编芯片反射性能的仿真方法、装置、存储介质和设备是由方石;王萌设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本光编芯片反射性能的仿真方法、装置、存储介质和设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种光编芯片反射性能的仿真方法、装置、存储介质和设备，所述方法包括：获取待仿真光电编码芯片的尺寸参数和材料信息，以及对应的码盘的三维结构；获取待仿真光电编码芯片的元器件的结构参数，以及光电元器件的图像信息；根据待仿真光电编码芯片的尺寸参数、码盘的三维结构和元器件的结构参数，仿真出待仿真光电编码芯片的3D结构件；再进行光学仿真，得到待仿真光电编码芯片的光强分布图；根据光强分布图和光电元器件的图像信息进行联合仿真，得到光电元器件的光强仿真分布关系；将光强仿真分布关系与光强理想分布关系进行比对，得到待仿真光电编码芯片的反射性能仿真结果。本发明可以帮助用户提高反射式光电编码芯片的设计效率。

本发明授权光编芯片反射性能的仿真方法、装置、存储介质和设备在权利要求书中公布了：1.一种光编芯片反射性能的仿真方法，其特征在于，包括：获取待仿真光电编码芯片的尺寸参数和材料信息，以及所述待仿真光电编码芯片对应的码盘的三维结构；获取所述待仿真光电编码芯片的元器件的结构参数，以及所述元器件中，光电元器件的图像信息；根据所述待仿真光电编码芯片的尺寸参数、所述码盘的三维结构和所述元器件的结构参数，仿真出所述待仿真光电编码芯片的3D结构件；根据所述待仿真光电编码芯片的3D结构件、所述待仿真光电编码芯片的材料信息和所述元器件的结构参数进行光学仿真，得到所述待仿真光电编码芯片的光强分布图；根据所述光强分布图和所述光电元器件的图像信息进行联合仿真，得到所述光电元器件的光强仿真分布关系；获取所述待仿真光电编码芯片的光电元器件的光强理想分布关系；将所述光强仿真分布关系与光强理想分布关系进行比对，得到所述待仿真光电编码芯片的反射性能仿真结果；其中，所述根据所述待仿真光电编码芯片的3D结构件、所述待仿真光电编码芯片的材料信息和所述元器件的结构参数进行光学仿真，得到所述待仿真光电编码芯片的光强分布图的步骤，包括：获取所述码盘的材料种类；根据所述码盘的材料种类和所述待仿真光电编码芯片的材料信息，获取特征光参数；将所所述待仿真光电编码芯片的3D结构件、所述待仿真光电编码芯片的材料信息和所述元器件的结构参数导入到Zemax；将所述特征光参数导入到Zemax；获取Zemax输出的所述光强分布图。

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