恭喜至微半导体(上海)有限公司廖世保获国家专利权
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龙图腾网恭喜至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111674436.5，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法是由廖世保;徐铭;邓信甫设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法，涉及到半导体技术领域，包括：S1、控制晶圆旋转，通过第一喷头将酸蚀刻液喷在晶圆的上表面，并驱动第一喷头呈弧形往复摆动，同时向晶圆的上表面中心位置以及边缘区域喷射热气流；S2、通过第二喷头将酸蚀刻液喷在水平台阶面，并控制第二喷头沿晶圆的边缘方向往复摆动；S3、通过第三喷头将酸蚀刻液倾斜喷射在竖直台阶面上。本发明中，在晶圆进行蚀刻时向晶圆的表面以及边缘位置通入热气流，实现加温动作，且通过第一喷头、第二喷头的摆动以及第三喷头的倾斜角度，能够使得酸蚀刻液充分的覆盖在晶圆的表面以及台阶面上，能够提高蚀刻效果。
本发明授权一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种梯度结构的晶圆的蚀刻方法，所述晶圆的上表面的边缘具有台阶面，所述台阶面包括相互连接的水平台阶面和竖直台阶面，其特征在于，包括：S1、控制所述晶圆旋转，通过第一喷头将酸蚀刻液喷在所述晶圆的上表面，并驱动所述第一喷头呈弧形往复摆动，同时向所述晶圆的上表面中心位置以及边缘区域喷射热气流；S2、通过第二喷头将酸蚀刻液喷在所述水平台阶面，并控制所述第二喷头沿所述晶圆的边缘方向往复摆动；所述第二喷头的轴线与所述水平台阶面垂直；S3、通过第三喷头将酸蚀刻液倾斜喷射在所述竖直台阶面上；所述第三喷头的轴线指向所述水平台阶面与所述竖直台阶面之间的夹角处。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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