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龙图腾网恭喜吾拾微电子(苏州)有限公司申请的专利吸附装置及晶圆处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411767740.8，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权吸附装置及晶圆处理方法是由沈达;方耀星;薛亚玲;万士元设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本吸附装置及晶圆处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种吸附装置及晶圆处理方法，属于晶圆处理技术领域。吸附装置包括吸附主体；通道机构，包括第一通道组件和围绕第一通道组件设置的第二通道组件；填充机构，包括填充于部分第二通道组件内的第一填充件，以使部分第二通道组件内无流体通过；填充有第一填充件的第二通道组件形成第一填充区域，剩余部分第二通道组件和第一通道组件形成吸附区域，晶圆正投影与第一填充区域存在重合；抽真空时，第一填充件使得流经吸附区域与晶圆之间的第一气流的流速大于流经第一填充区域与晶圆之间的第二气流的流速。通过上述方式，能够保证吸附主体在撤真空后与晶圆之间仍可维持一段时间的吸附，从而进而避免后续工艺进行发生滑落，磕碰等问题。

本发明授权吸附装置及晶圆处理方法在权利要求书中公布了：1.一种吸附装置，其特征在于，包括：吸附主体，适于供晶圆放置，并在真空发生器的作用下抽真空以将所述晶圆吸附；通道机构，适于供流体流经，且形成于所述吸附主体上；所述通道机构包括若干个微米级孔道，若干个微米级孔道沿所述吸附装置的高度方向延伸；所述若干个微米级孔道包括第一通道组件和第二通道组件，所述第二通道组件围绕所述第一通道组件设置；填充机构，包括填充于至少部分所述第二通道组件内的第一填充件，以使至少部分所述第二通道组件内无流体通过；填充有所述第一填充件的所述第二通道组件形成第一填充区域，剩余部分所述第二通道组件和所述第一通道组件形成吸附区域，所述晶圆的正投影与所述第一填充区域存在重合；所述第一填充件具有第一状态和第二状态，所述第一状态的硬度小于第二状态的硬度；所述第一填充件以第一状态呈现时，其能够沿微孔的延伸方向流动，且可填充于第二通道组件内；第一填充件以第二状态呈现时，其固定于第二通道组件内，于吸附主体的高度方向上，第一填充件的顶端与吸附主体的上表面齐平；所述填充机构还包括填充于部分所述第一通道组件内的第二填充件，填充有所述第二填充件的部分所述第一通道使得所述吸附区域被分割为吸合区域和第二填充区域；其中，所述第一填充件和第二填充件为树脂；其中，所述吸附主体抽真空时，所述第一填充件使得流经所述吸附区域与所述晶圆之间的第一气流的流速大于流经所述第一填充区域与所述晶圆之间的第二气流的流速；所述第二填充件使得流经所述吸合区域与所述晶圆之间的第三气流的流速大于流经所述第二填充区域与所述晶圆之间的第四气流的流速。

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