武汉中航传感技术有限责任公司张作然获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉中航传感技术有限责任公司申请的专利一种半导体压力传感芯片的隔离组件及封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222850201U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421913604.0，技术领域涉及：G01L9/00；该实用新型一种半导体压力传感芯片的隔离组件及封装结构是由张作然;易少凡;周璇设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体压力传感芯片的隔离组件及封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提出了一种半导体压力传感芯片的隔离组件，包括隔离膜片，所述隔离膜片具有波纹结构，其中，波纹结构的厚度由中间到边缘依次加厚再减薄。该半导体压力传感芯片的隔离组件，通过优化波纹膜片从中间到边缘依次加厚再减薄，能够减少在大应变下波纹膜片弹性系数的非线性增加，从而提高测量精度。本实用新型提出了还提出了封装结构，所述的半导体压力传感芯片的隔离组件，还包括基座，基座正中开设有芯片槽，隔离膜片的边缘与基座顶部连接，使得隔离膜片覆盖于芯片槽的顶部。该封装结构，通过运用隔离膜片的波纹结构设计，利用厚度的优化，减少了大应变下的非线性弹性表现，从而在宽压力范围内提供更加线性和准确的测量结果。
本实用新型一种半导体压力传感芯片的隔离组件及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体压力传感芯片的隔离组件，其特征在于，包括隔离膜片10，所述隔离膜片10具有波纹结构20，其中，波纹结构20的厚度由中间到边缘依次加厚再减薄。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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