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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110906602.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备是由李冉;马经纶;段蕾蕾;韩欣茹设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备，所述方法，包括：在半导体结构的第一氧化层上端面生成掩膜层，在所述掩膜层上曝光出目标接触孔图形；按照所述目标接触孔图形对所述第一氧化层进行刻蚀，以裸露出所述目标接触孔位置对应的接触层上端面，以及所述目标接触孔位置对应的上层结构上端面；在刻蚀后表面沉积第二绝缘层，并在所述第二绝缘层之上沉积第二氧化层；去除所述第一氧化层上端面以上部分的第二绝缘层和第二氧化层，并从裸露出的所述接触层上端面向下刻蚀以去除部分所述接触层，以及从裸露出的所述上层结构上端面向下刻蚀以裸露出第零层接触上端面。

本发明授权一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种接触孔制备方法，其特征在于，应用于半导体结构，所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述阵列区的基底上包括埋入式字线、第一绝缘层、所述第一绝缘层在远离所述埋入式字线的方向具有存储电容阵列和接触层，所述接触层覆盖所述存储电容阵列，所述外围区的基底设置有有源区，在远离所述有源区的方向具有隔离层和栅极结构，所述隔离层覆盖所述栅极结构，所述隔离层包括下层结构、中层结构和上层结构，所述栅极结构的两侧包括第零层接触，所述第零层接触顶部低于所述上层结构上端面，在远离所述接触层和所述上层结构的方向具有第一氧化层，所述方法，包括：在所述第一氧化层上端面生成掩膜层，在所述掩膜层上曝光出目标接触孔图形；按照所述目标接触孔图形对所述第一氧化层进行刻蚀，以裸露出所述目标接触孔位置对应的所述接触层上端面，以及所述目标接触孔位置对应的所述上层结构上端面；在刻蚀后表面沉积第二绝缘层，并在所述第二绝缘层之上沉积第二氧化层；去除所述第一氧化层上端面以上部分的第二绝缘层和第二氧化层，并从裸露出的所述接触层上端面向下刻蚀以去除部分所述接触层，以及从裸露出的所述上层结构上端面向下刻蚀以裸露出所述第零层接触上端面。

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