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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种测试元件组及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083501B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110275054.9，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权一种测试元件组及其测试方法是由孙永载;杨红;杨涛;李俊杰;王文武;罗军设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测试元件组及其测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种测试元件组及测试方法，通过将设计于存储器中的位线感测放大器的电路结构复制到测试元件组中，并将每一位线感测放大器中用于连接位线和参考位线的端子分别作为测试端的同时，将用于连接位线的端子合并起来连接到一电压输入线，将用于连接参考位线的端子合并起来连接到另一电压输入线，从而通过向两条电压输入线同时输入电源电压或接地电压，以选择性测量各个位线感测放大器在两种输入情况下的电流。由于位线感测放大器是影响存储器读写速度的主要电路，因此测量的电流分布可以反映存储器的局部差异数据，由这些局部差异数据可以对半导体存储器器件的读写速度进行评估。

本发明授权一种测试元件组及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试元件组，其特征在于，所述测试元件组包括：位线感测放大器阵列，所述位线感测放大器阵列中每一位线测放大器均包括第一测试端、第二测试端和选择端；每一所述位线感测放大器的第一测试端均与第一电压输入线电连接，且每一所述位线感测放大器的第二测试端均与第二电压输入线电连接；其中，所述位线感测放大器阵列与半导体存储器器件中的位线感测放大器电路结构一致，且每一所述位线感测放大器的第一测试端和第二测试端在半导体存储器器件中分别用于与位线和参考位线连接，以及选择端用于与位线选择端连接；每一所述位线感测放大器还包括第一节点、第二节点、第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管的漏极相连接且均连接到所述第一节点，以及所述第一晶体管与所述第二晶体管的栅极相连接且均连接到所述第二节点；所述第二反相器包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管与所述第四晶体管的漏极相连接且均连接到所述第二节点，以及所述第三晶体管与所述第四晶体管的栅极相连接且均连接到所述第一节点；所述第一晶体管和所述第三晶体管的源极均连接到所述第一节点，所述第二晶体管和所述第四晶体管的源极均连接到所述第二节点；其中，所述第一节点用于连接电源电压VDD端，所述第二节点用于连接接地VSS端；所述位线感测放大器还包括第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管和所述第六晶体管的栅极相连接且均连接到所述选择端；所述第五晶体管的通道第一端连接所述第一测试端，以及所述第五晶体管的通道第二端连接所述第一节点；所述第六晶体管的通道第一端连接所述第二测试端，以及所述第六晶体管的通道第二端连接所述第二节点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。