恭喜北京怀柔实验室郝夏敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利半导体器件的终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510126676.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件的终端结构及其制备方法是由郝夏敏;金锐;和峰;李翠;聂瑞芬;田宝华;刘江设计研发完成，并于2025-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的终端结构及其制备方法，终端结构包括：漂移层，位于衬底的一侧，具有第一掺杂类型；第一外延层，位于漂移层背离衬底的一侧，具有第二掺杂类型；多个第一掺杂区，间隔的位于第一外延层中，具有第一掺杂类型。通过在漂移层上设置浓度均匀的第一外延层，以使在第一外延层中设置第一掺杂区之后，将第一外延层分割为多个部分，多个部分第一外延层形成终端结构的场限环，外延层的厚度容易控制，且掺杂浓度均匀。对半导体器件的终端结构的掺杂区域的掺杂浓度进行优化，可以调节表面电场的横向和纵向扩展，提高了半导体终端的耐压水平。解决了由于半导体器件的终端结构处的掺杂浓度不好控制导致半导体器件耐压能力差的问题。
本发明授权半导体器件的终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：衬底；漂移层，位于所述衬底的一侧，具有第一掺杂类型；第一外延层，位于所述漂移层背离所述衬底的一侧，所述第一外延层的掺杂浓度为1E15~5E19cm-3，具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反；多个第一掺杂区，间隔的位于所述第一外延层中，以将所述第一外延层分割为多个部分，具有第一掺杂类型，所述第一掺杂区的掺杂浓度为1E17~1E21cm-3，所述多个部分的所述第一外延层形成终端结构的场限环。
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