恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司康绍磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种像素结构及工作方法、图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510112494.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种像素结构及工作方法、图像传感器是由康绍磊;胡晓芮设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种像素结构及工作方法、图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种像素结构及工作方法、图像传感器，像素结构包括设置在衬底中的光电二极管，在光电二极管中设置有凹槽，凹槽的内壁上设置有绝缘膜层，绝缘膜层内侧的凹槽中设置有金属材料层，金属材料层、绝缘膜层和光电二极管构成充电电容，并能够通过控制金属材料层的电压向光电二极管中充电。本发明通过形成充电电容结构，使得像素结构可以在无光照条件下对光电二极管充满电子，以进行CTE测试，并且该CTE测试无需使用复杂且昂贵的光电测试设备在专门的测试阶段进行，使其可以在WAT测试阶段以及CP测试阶段进行，从而降低了测试复杂度，提高了测试效率，还可以向像素结构除光电二极管以外的其他晶体管的特性测试提供便利。
本发明授权一种像素结构及工作方法、图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种像素结构，其特征在于，包括设置在衬底中的光电二极管，在所述光电二极管中设置有凹槽，所述凹槽的内壁上设置有绝缘膜层，所述绝缘膜层内侧的凹槽中设置有金属材料层，所述金属材料层、绝缘膜层和光电二极管构成充电电容，所述充电电容能够通过控制所述金属材料层的电压在无光照条件下向所述光电二极管中充电以进行电荷传输效率测试；其中，所述绝缘膜层为氧化物层，所述金属材料层由外之内依次包括金属膜层、金属化合物层和金属填充层；所述金属膜层的材料为金属钛，所述金属化合物层的材料为氮化钛，所述金属填充层的材料为金属钨。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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