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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利基于双波长光电效应的单分子自旋存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510104880.5，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权基于双波长光电效应的单分子自旋存储器及其制备方法是由贾传成;宋树鑫;田娣;岳非凡;郭雪峰设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双波长光电效应的单分子自旋存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于双波长光电效应的单分子自旋存储器及其制备方法，存储器包括磁性金属有机配合物、石墨烯纳米间隙阵列电极、磁性隧道结以及重金属背栅，磁性金属有机配合物具有手性诱导自旋选择效应以及双波长光电效应；磁性金属有机配合物通过酰胺共价键连接于所述石墨烯纳米间隙阵列电极中形成磁性金属有机配合物异质结；磁性隧道结对称设置于磁性金属有机配合物异质结两侧；石墨烯纳米间隙阵列电极以及磁性金属有机配合物均组装于重金属背栅的顶部。本发明显著提高了存储器的读写速度并降低了功耗，推动了高速度、低功耗、高稳定性的自旋电子学存储器的发展。

本发明授权基于双波长光电效应的单分子自旋存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双波长光电效应的单分子自旋存储器，其特征在于，包括：磁性金属有机配合物，所述磁性金属有机配合物具有手性诱导自旋选择效应，自组装成两种手性相反的α螺旋结构；所述磁性金属有机配合物具有双波长光电效应，不同光照波长激发不同光敏基团产生光电流；所述磁性金属有机配合物的结构式为： 其中，n为6~10的整数；m为6~10的整数；M为铁、钴、镍中的任意一种；石墨烯纳米间隙阵列电极，所述磁性金属有机配合物通过酰胺共价键连接于所述石墨烯纳米间隙阵列电极中形成磁性金属有机配合物异质结；磁性隧道结，所述磁性隧道结对称设置于所述磁性金属有机配合物异质结两侧；重金属背栅，所述石墨烯纳米间隙阵列电极以及所述磁性金属有机配合物均组装于所述重金属背栅的顶部，所述石墨烯纳米间隙阵列电极设置于所述重金属背栅顶部的左右两侧，所述磁性隧道结对称设置于所述重金属背栅顶部的左右两侧，所述磁性金属有机配合物通过酰胺共价键连接于左侧所述石墨烯纳米间隙阵列电极和右侧所述石墨烯纳米间隙阵列电极之间。

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