恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所王立获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十四研究所申请的专利倒装焊金凸点结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220743B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111530395.2，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权倒装焊金凸点结构及其制作方法是由王立;廖柯;唐艳;黄晓峰;崔大健;莫才平设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装焊金凸点结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种倒装焊金凸点结构的制作方法，包括：在第一探测器芯片基板的表面蒸发第一种子层；采用光刻和电镀的方法在第一种子层中部形成柱形的第一电镀金层；采用光刻和电镀的方法在第一种子层上形成环形的第二电镀金层；所述第二电镀金层包裹在第一电镀金层外围，且所述第二电镀金层的高度大于第一电镀金层的高度；去除未履盖第一电镀金层和第二电镀金层的第一种子层。本发明中，采用厚胶光刻的方式，通过调节光刻胶膜的孔径大小和深度，使凹陷型金凸点的形貌、大小和高度可控；利用两次电镀金层形成具有定位凹槽的凹陷型金凸点，凹陷型金凸点和柱形结构的金凸点配合更容易集成与安装，且减小了倒焊时移位，提高了对位精度和可靠性。
本发明授权倒装焊金凸点结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装焊金凸点结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：取一半绝缘衬底作为第一探测器芯片基板；在第一探测器芯片基板的表面蒸发第一种子层；采用厚胶光刻和电镀的方法在第一种子层中部形成柱形的第一电镀金层；采用厚胶光刻和电镀的方法在第一种子层上形成环形的第二电镀金层；所述第二电镀金层包裹在第一电镀金层外围，且所述第二电镀金层比第一电镀金层厚3μm~6μm；去除未履盖第一电镀金层和第二电镀金层的第一种子层；在第一探测器芯片基板的表面蒸发一层第一种子层包括以下步骤：在第一探测器芯片基板的表面蒸发一层铬层；所述铬层的厚度为0.1μm~0.3μm；在铬层的表面蒸发一层金层，所述金层的厚度为1.0μm~1.5μm。
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