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龙图腾网恭喜上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利可擦写存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220818B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111525709.X，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权可擦写存储器及其制造方法是由朱宝;尹睿;张卫设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本可擦写存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可擦写存储器，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极，所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；第一异质结和第二异质结具有单向导通电荷特性，第一异质结和第二异质结分别用于可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；隧穿层包括水平部和竖直部，竖直部用于隔断第一异质结和第二异质结，以避免第一异质结和第二异质结的横向电荷导通；沟道层用于电荷的迁移。采用两个异质结分别作为可擦写存储器的数据写入和数据擦除通道，使得可擦写存储器的数据写入和数据擦除更加稳定和对称，提高了数据擦除和数据写入速度，降低了动态功耗。本发明还提供了一种所述可擦写存储器的制作方法。

本发明授权可擦写存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种可擦写存储器，其特征在于，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极；所述衬底作为所述可擦写存储器的栅极；所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；所述第一异质结和所述第二异质结分别设置于所述阻挡层顶面相对的两端，所述第一异质结和所述第二异质结具有单向导通电荷特性，且所述第一异质结的电荷导通方向与所述第二异质结的电荷导通方向相反，所述第一异质结和所述第二异质结分别用于所述可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；所述隧穿层包括水平部和竖直部，所述水平部覆盖于所述第一异质结和所述第二异质结的顶面，所述竖直部用于隔断所述第一异质结和所述第二异质结，以避免所述第一异质结和所述第二异质结的横向电荷导通；所述沟道层覆盖于所述隧穿层顶面，用于电荷的迁移；所述沟道层源极和所述漏极分别设置于所述沟道层顶面相对的两端。

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