恭喜上海华力集成电路制造有限公司郝燕霞获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111441685.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法是由郝燕霞设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有鳍式结构，鳍式结构包括栅极和形成于栅极顶端的上层结构，且形成有覆盖鳍式结构表面的防护层；对防护层掺杂，使得防护层的介电常数降低、抗氧化性增强以及抗刻蚀能力增强；去除栅极顶端的上层结构以及上层结构表面的防护层，保留栅极的侧壁上的防护层以形成侧墙结构，其中侧墙结构使得栅极被保护。本发明通过对SIOCN表面进行离子注入，形成兼具低k和抗氧化、刻蚀特质的SIOCN侧墙，增大了接触孔与栅极桥接工艺的窗口。
本发明授权增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种增加FinFET器件接触孔与栅极桥接工艺窗口的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有鳍式结构，所述鳍式结构包括栅极和形成于所述栅极顶端的上层结构，且形成有覆盖所述鳍式结构表面的防护层，所述防护层通过原子层淀积的方式形成，所述防护层的材料为SIOCN；步骤二、对所述防护层掺杂，掺杂的离子为碳离子，所述碳离子在所述防护层中的离子浓度大于8％，使得所述防护层的介电常数降低、抗氧化性增强以及抗刻蚀能力增强；步骤三、去除所述栅极顶端的所述上层结构以及所述上层结构表面的所述防护层，保留所述栅极的侧壁上的所述防护层以形成侧墙结构。
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