恭喜上海华力微电子有限公司杜宏亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力微电子有限公司申请的专利一种阈值电压的测量方法及其系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114089147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111436114.7,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种阈值电压的测量方法及其系统是由杜宏亮设计研发完成,并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阈值电压的测量方法及其系统在说明书摘要公布了:本发明提供一种阈值电压测量方法及其系统,包括:步骤S1:将MOS管的最大工作电压和最小工作电压设置为上限电压和下限电压,执行步骤S2;步骤S2:以所述上限电压和所述下限电压之间的值为扫描电压,对所述MOS管的栅极施加所述扫描电压,并获取漏极电流,执行步骤S3;步骤S3:将所述漏极电流与目标电流作差得到第一差值,当所述第一差值的绝对值小于或等于所述第一设定值时,将所述扫描电压作为阈值电压输出;当所述第一差值的绝对值大于所述第一设定值时,通过判断所述漏极电流与所述目标电流的大小关系,调整所述上限电压与所述下限电压,并返回步骤S2。避免所述最大工作电压与所述最小工作电压的施加对所述MOS管造成的损坏以及阈值电压的偏移。
本发明授权一种阈值电压的测量方法及其系统在权利要求书中公布了:1.一种阈值电压测量方法,其特征在于,包括:步骤S1:将MOS管的最大工作电压和最小工作电压设置为上限电压和下限电压,执行步骤S2;步骤S2:以所述上限电压和所述下限电压之间的值为扫描电压,对所述MOS管的栅极施加所述扫描电压,并获取所述MOS管的漏极电流,执行步骤S3,在步骤S2中,将所述上限电压和所述下限电压之间的值分别与所述最大工作电压和所述最小工作电压作差得到第四差值和第五差值,所述第四差值和所述第五差值的绝对值均大于第二设定值;步骤S3:将所述漏极电流与目标电流作差得到第一差值,当所述第一差值的绝对值小于或等于第一设定值时,将所述扫描电压作为所述MOS管的阈值电压输出;当所述第一差值的绝对值大于所述第一设定值时,判断所述漏极电流与所述目标电流的大小关系,当所述漏极电流大于所述目标电流,将所述上限电压替换为所述扫描电压,并返回步骤S2,当所述漏极电流小于所述目标电流时,则将所述下限电压替换为所述扫描电压,并返回步骤S2;执行步骤S3之前,将所述扫描电压分别与所述最大工作电压和所述最小工作电压作差,得到第二差值和第三差值,若所述第二差值和所述第三差值的绝对值中的任一个小于第二设定值时,所述第一差值的绝对值仍大于所述第一设定值,则将错误信号作为所述MOS管的阈值电压输出。
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