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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111325627.0，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺是由陈杰智;台路;魏巍设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺，本方法在铁电存储器成长功能层之前进行预退火，在生长上电极之后进行后退火；所述预退火是指将待成长功能层的存储器放入退火炉中，在氮气的氛围下，用速度V1升温，温度到达200‑500摄氏度之间时，保持时间T1，T1之后，快速退火，当温度退到40‑60摄氏度时，取出待成长功能层的存储器；后退火是指将生长好上电极的存储器放入退火炉内，在氮气的氛围下，用速度V2升温，温度到达400‑700摄氏度之间时，保持时间T2，T2之后，快速退火，当温度推到40‑60摄氏度时，取出生长好上电极的存储器。本发明相对于不做预退火的功能层，能够有更大的存储窗口。

本发明授权一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺在权利要求书中公布了：1.一种可增强存储窗口的铁电双退火工艺，其特征在于：本方法在铁电存储器生成功能层之前进行预退火，在生长上电极之后进行后退火；预退火是在下电极之上沉积完预退火插层后对预退火插层进行退火，预退火插层为氧化锆层，功能层为铪锆氧功能层，上电极为材料是氮化钛；所述预退火是指将待生长功能层的存储器放入退火炉中，在氮气的氛围下，用速度V1升温，温度到达200-500摄氏度之间时，保持时间T1，T1之后，快速退火，当温度退到40-60摄氏度时，取出待生长功能层的存储器；后退火是指将生长好上电极的存储器放入退火炉内，在氮气的氛围下，用速度V2升温，温度到达400-700摄氏度之间时，保持时间T2，T2之后，快速退火，当温度推到40-60摄氏度时，取出生长好上电极的存储器。

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