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龙图腾网恭喜株洲中车时代半导体有限公司申请的专利IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114019341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111301375.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统是由袁涛;余伟;史慧敏;孙波艳;郑宇;熊强;谭旻;凌浪波;刘敏安;任亚东;罗海辉设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统在说明书摘要公布了：本发明一个或多个实施例提供一种IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统，过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，所述控制电路检测所述保护开关第二端与第三端之间的第一电压，并在所述第一电压超过预设参考电压时关断所述保护开关，切断所述电源电路的直通放电通道。本发明能够在IGBT动态测试系统出现失效过电流时能有效限制回路电流，保护整个系统不会受到大电流的冲击，电路结构简单，且快速又可靠。

本发明授权IGBT动态测试的过电流保护电路及IGBT动态测试系统在权利要求书中公布了：1.一种IGBT动态测试的过电流保护电路，其特征是，所述过电流保护电路包括：保护开关和控制电路；所述控制电路与所述保护开关的第一端、第二端以及第三端连接，所述保护开关的第二端与电源电路连接，第三端与IGBT动态测试回路连接；所述控制电路包括：第一二极管、第一电容、检测驱动电路以及微控制器，所述微控制器与所述检测驱动电路进行通信连接，以传输故障信号和控制信号；所述检测驱动电路的第一端与所述第一二极管的阳极连接，并通过所述第一电容接参考地，所述第一二极管的阴极与所述保护开关的第二端连接，所述检测驱动电路的第二端与所述保护开关的第三端连接，并接所述参考地，所述检测驱动电路的第三端与所述保护开关的第一端连接；所述保护开关为IGBT晶体管，或所述保护开关为MOSFET晶体管，所述过电流保护电路还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述MOSFET晶体管的第三端连接，所述第二二极管的阴极与所述MOSFET晶体管的第二端连接；所述检测驱动电路包括：电流源、开关管以及比较器；所述检测驱动电路的第一端在内部与所述比较器的同相输入端以及所述开关管的漏极连接，所述检测驱动电路的第一端在内部还接所述电流源，所述比较器的反相输入端接预设参考电压，所述检测驱动电路的第二端在内部与所述开关管的源极连接，所述开关管的栅极以及所述比较器的输出端与所述微控制器连接；在所述IGBT动态测试回路中的被测IGBT失效短路时，通过检测驱动电路给第一电容充电，当第一电容上的电压大于预设参考电压后，微控制器将发出控制信号给检测驱动电路，通过检测驱动电路输出低电平信号至IGBT的栅极，控制使IGBT关断，切断电源电路的直通放电通道。

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