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龙图腾网恭喜北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所申请的专利一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111271901.0，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统是由杨小兵;王传敏;孙金池;殷丽;赵昕;吴立成;王华设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统，采用合适的刻蚀钝化阶段气体流量和时间，硅对光刻胶刻蚀选择比高120：1，在整个刻蚀过程中可以直接用光刻胶作为刻蚀掩模；采用高射频功率产生足够高的等离子体密度，实现快速刻蚀，刻蚀速率可达5ummin；采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换时间和渐变的工艺参数来保证深槽的陡直度90°±0.1°，线条光滑。本发明直接用光刻胶作为刻蚀掩模，避免了在大于100微米深槽刻蚀中常规的金属掩模，既使得工艺过程变得简单，又不会对工艺腔室造成污染；其独特的刻蚀性能可以有效地实现台面高频晶体管硅隔离深槽结构。

本发明授权一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种高光刻胶选择比硅隔离深槽刻蚀方法，其特征在于包括下列步骤：1设置刻蚀阶段、钝化阶段的气体流量和时间，将硅对光刻胶刻蚀选择比提高到120：1，在整个刻蚀过程中直接用光刻胶作为刻蚀掩模；所述步骤1中设置刻蚀阶段、钝化阶段的气体流量和时间，具体为：刻蚀阶段气体SF6流量为450sccm，时间为3.4s；钝化阶段气体C4F8流量为250sccm，时间为2.6s；2设置射频功率，即线圈功率，从而产生足够高的等离子体密度，实现快速刻蚀，刻蚀速率5ummin；刻蚀阶段的线圈功率为2500W，钝化阶段的线圈功率为2000W；3采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换和渐变的工艺参数来保证深槽的陡直度且线条光滑，陡直度为90°±0.1°，渐变的工艺参数包括电极功率和工艺压力；采用快速实现刻蚀和钝化工艺切换，具体为：刻蚀时间为3.4s；钝化时间为2.6s；渐变参数下，电极功率刻蚀阶段初始0.8s时间内为140W，其余2.6s时间内第一个工艺周期为30W，到第260工艺周期线性渐变为35W；电极功率钝化阶段第一个工艺周期为30W，到第260工艺周期线性渐变为35W；工艺压力在刻蚀阶段初始0.8s时间内为25mT，其余2.6s时间内第一个工艺周期为40mT，到第260工艺周期线性渐变为60mT。

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