恭喜杰华特微电子股份有限公司胡涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜杰华特微电子股份有限公司申请的专利可控硅型静电放电器件及集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111446242B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010386741.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权可控硅型静电放电器件及集成电路是由胡涛设计研发完成，并于2020-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本可控硅型静电放电器件及集成电路在说明书摘要公布了：公开了一种可控硅型静电放电器件及集成电路，该可控硅型静电放电器件以传统LDMOS‑SCR器件为基础，将漏端的N阱区拆分为与该N阱区中的第二P掺杂区和第二N掺杂区相匹配的第一N阱区和第二N阱区，提高了N阱区的寄生电阻，使其在ESD放电电流下的压降提升更快，使寄生PNP管的开启速度更快，提高可控硅型静电放电器件的开启速度，提高了静电放电保护水平。该集成电路包括该可控硅型静电放电器件。本发明的可控硅型静电放电器件的结构改进简易，在无工艺成本增加的情况下提升了的可控硅型静电放电器件的开启速度，提升了静电放电防护水平。
本发明授权可控硅型静电放电器件及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种可控硅型静电放电器件，其特征在于，包括：衬底；P阱区，位于所述衬底中；漂移区，位于所述衬底中，且与所述P阱区无交叠；第一P掺杂区和第一N掺杂区，位于所述P阱区中，所述第一P掺杂区较所述第一N掺杂区远离所述漂移区，且所述第一P掺杂区和所述第一N掺杂区由第一隔离层分隔开；第一N阱区和第二N阱区，位于所述漂移区中，且彼此间距大于零；第二P掺杂区和第二N掺杂区，分别位于所述第一N阱区和所述第二N阱区中，所述第二P掺杂区较所述第二N掺杂区靠近所述P阱区，且所述第二P掺杂区和所述第二N掺杂区由第二隔离层分隔开；栅氧化层，设置在所述P阱区和所述第一N阱区之间，一端与所述第一N掺杂区接触，另一端与所述第二P掺杂区接触；多晶硅层，设置在所述栅氧化层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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