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龙图腾网恭喜中国核动力研究设计院申请的专利一种基于薄膜集成晶粒的中高温半导体热电转换模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267783B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111602015.1，技术领域涉及：H10N10/17；该发明授权一种基于薄膜集成晶粒的中高温半导体热电转换模块是由仇子铖;袁德文;闫晓;孙桂铖;张友佳;徐建军;乔红威设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜集成晶粒的中高温半导体热电转换模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可在中高温条件下使用半导体实现热电直接转换的半导体热电转换模块，其结构包括导热基板，导流片，薄膜集成晶粒，晶粒定位器以及绝热填充介质等。本发明各部件材料选择、结构设计和加工工艺中兼顾了热电转换效率、温度有效传递、耐冷热冲击性能、中高温运行可靠性等需求。经实践证明，本半导体热电转换模块在中高温条件下可实现高效率的热电直接转换，且能在温度大幅度升降过程中保证稳定运行。

本发明授权一种基于薄膜集成晶粒的中高温半导体热电转换模块在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜集成晶粒的中高温半导体热电转换模块，其特征在于，具备：导热基板（1）、导流片（2）、薄膜集成晶粒（3）、晶粒定位器（4）和绝热填充介质（5）；其中所述导热基板（1）具备：外侧的外部弹性导热层（1-1）、内侧的陶瓷基板（1-2）；所述导流片（2）位于导热基板（1）内侧，由外到内依次为：金属基片（2-1）、内部弹性导热层（2-2）、金属沉积层A（2-3）；所述薄膜集成晶粒（3）位于导流片（2）内侧，具备：半导体薄膜（3-1）、绝缘介质层（3-2）、减辐射涂层（3-3）和金属沉积层B（3-4）；所述导流片（2）的金属沉积层A（2-3）与所述薄膜集成晶粒（3）的金属沉积层B（3-4）相对应且接触，使用瞬间扩散焊工艺完成金属沉积层A（2-3）与金属沉积层B（3-4）的连接；所述晶粒定位器（4）为薄膜集成晶粒（3）水平方向提供定位；所述绝热填充介质（5）用于填充模块内部所有空隙，实现对内部结构的保护和定位。

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