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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111590314.8，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法是由季汝敏设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法，反熔丝存储版图包括：有源区，沿第一方向延伸且沿第二方向分立排布，每一有源区包括沿第一方向排布的至少两个存储单元区，每一存储单元区包括沿第一方向排布的反熔丝区和控制区，在沿第一方向上，相邻存储单元区的控制区相邻接；字线区，沿第二方向延伸且与控制区相交；电连接区，沿第二方向延伸且与反熔丝区相交；编程控制区，沿第三方向延伸且位于相应的有源区的一侧，且编程控制区与沿第一方向排列的电连接区相交。本公开实施例至少有利于缩小反熔丝存储版图的布局面积。

本发明授权反熔丝存储版图及其电路、反熔丝存储器及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储版图，其特征在于，包括：有源区，所述有源区沿第一方向延伸且沿第二方向分立排布，每一所述有源区包括沿所述第一方向排布的至少两个存储单元区，每一所述存储单元区包括沿所述第一方向排布的反熔丝区以及控制区，在沿所述第一方向上，相邻所述存储单元的所述控制区相邻接，所述反熔丝区用于定义反熔丝晶体管，所述控制区用于定义控制晶体管；字线区，所述字线区沿第二方向延伸且与所述控制区相交，所述字线区用于定义与控制晶体管的栅极电连接的字线；电连接区，所述电连接区沿所述第二方向延伸且与所述反熔丝区相交，所述电连接区用于定义与反熔丝晶体管的栅极电连接的电连接层；编程控制区，所述编程控制区沿第三方向延伸且位于相应的所述有源区的一侧，且所述编程控制区与沿所述第一方向排列的所述电连接区相交，所述编程控制区用于定义编程控制层，所述编程控制层与沿所述第一方向排列的所述电连接层电连接。

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