恭喜英特尔公司R·米恩德鲁获国家专利权
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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利用于提升NMOS晶体管中的沟道应力的器件、方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111095529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094370.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权用于提升NMOS晶体管中的沟道应力的器件、方法和系统是由R·米恩德鲁;A·默西;K·贾姆布纳坦;C·邦伯格设计研发完成，并于2017-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提升NMOS晶体管中的沟道应力的器件、方法和系统在说明书摘要公布了：用于在NMOS晶体管的沟道区上施加应力的技术和机制。在实施例中，半导体衬底上的鳍状物结构包括晶体管的两个源极区或漏极区，其中，晶体管的沟道区位于源极区或漏极区之间。至少在这种源极区或漏极区上包括掺杂的硅锗SiGe化合物，其中，SiGe化合物中的位错导致至少一个源极区或漏极区在沟道区上施加拉应力。在另一实施例中，晶体管的源极区或漏极区均包括包含至少50wt％的锗的SiGe化合物。
本发明授权用于提升NMOS晶体管中的沟道应力的器件、方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种用于传送信号的集成电路IC器件，所述集成电路器件包括：缓冲层；设置在所述缓冲层上的鳍状物结构，所述鳍状物结构包括：第一NMOS晶体管的第一源极区或漏极区；所述第一NMOS晶体管的第一沟道区，所述第一沟道区与所述第一源极区或漏极区相邻，其中，拉应力利用所述第一源极区或漏极区的硅锗SiGe中的位错和所述缓冲层而施加在所述第一沟道区上，其中，所述第一NMOS晶体管的所述第一源极区或漏极区的所述硅锗包括至少50％的锗；第二NMOS晶体管的第二源极漏极区；以及所述第二NMOS晶体管的第二沟道区，所述第二沟道区与所述第二源极漏极区相邻，其中，拉应力利用所述第二源极漏极区的SiGe中的位错和所述缓冲层而施加在所述第二沟道区上；以及所述第一NMOS晶体管的栅极结构，其中，所述栅极结构在所述鳍状物结构之上延伸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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