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龙图腾网恭喜深圳众诚达应用材料股份有限公司申请的专利一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119683970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510194523.2，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管是由周贤界;徐红星;卢晓鹏;关泽汉;黄小玲;黄勇彪设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及靶材制备技术领域，提供一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管，包括：将In、Ga、Sn三种离子的混合盐溶液、沉淀剂和络合剂进行共沉淀反应，经清洗浓缩后得到高纯铟镓锡氢氧化物胶体；将铟镓锡氢氧化物胶体和助剂进行水热反应，经清洗、干燥后得到第一铟镓锡氧化物粉；将第一铟镓锡氧化物粉进行煅烧处理得到第二铟镓锡氧化物粉；将第二铟镓锡氧化物粉、分散剂、消泡剂和纯水球磨混合得到浆料；将浆料注浆成型得到素坯；将素坯在高氧条件下进行烧结处理得到MOS靶材。本申请将共沉淀反应、水热反应和煅烧相结合，精确控制粉体的氧含量并使其轻微失氧，防止素坯烧结过程中In2O3失氧生成In2O或InO而影响靶材导电性。

本发明授权一种MOS靶材及其制备方法和薄膜晶体管在权利要求书中公布了：1.一种MOS靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将In、Ga、Sn三种离子的混合盐溶液、沉淀剂和络合剂进行共沉淀反应，经清洗、浓缩后得到高纯铟镓锡氢氧化物胶体；将质量比为（1~2）∶（0.01~0.05）的所述高纯铟镓锡氢氧化物胶体和助剂加入纯水中搅拌均匀，得到悬浮液；所述助剂选自蔗糖、葡萄糖或果糖中的任意一种；将悬浮液转移到反应釜的内胆中，并加入适量纯水，使得悬浮液最终体积为反应釜内胆容积的70%，将反应釜放入150~250℃的干燥箱中，进行水热反应12~24h后，经清洗、干燥得到轻微失氧的第一铟镓锡氧化物粉；将所述第一铟镓锡氧化物粉进行煅烧处理，得到轻微失氧且粒径大于所述第一铟镓锡氧化物粉的第二铟镓锡氧化物粉；所述煅烧处理的气氛为氩、氢体积比为（95~99）∶（1~5）的氩氢混合气体；将所述第二铟镓锡氧化物粉、分散剂、消泡剂和纯水球磨混合，得到浆料；将所述浆料注浆成型，得到素坯；将所述素坯装入氧化铝套筒后置于烧结炉中，然后对所述氧化铝套筒进行抽真空，在真空度为10-2~10-3Pa时开始通入氧气并使所述氧化铝套筒的氧压为0.05~0.1MPa，随后升温至1400~1600℃进行保温烧结12~48h，得到MOS靶材。

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