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龙图腾网恭喜国芯半导体(仪征)有限公司申请的专利一种半导体多层外延片材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119352162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411421845.8，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种半导体多层外延片材料及其制备方法是由徐永平;顾金海设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体多层外延片材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体多层外延片材料及其制备方法，涉及半导体材料技术领域，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、第一多元共掺杂外延层、第二多元共掺杂外延层和碳化硅外延层；所述第一多元共掺杂外延层为稀土、Ga、N、Te共掺杂外延层；所述第二多元共掺杂外延层为N、In共掺杂外延层。本发明公开的半导体多层外延片材料漏电电流和开启电压低，击穿电压高。

本发明授权一种半导体多层外延片材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体多层外延片材料，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、第一多元共掺杂外延层、第二多元共掺杂外延层和碳化硅外延层；所述第一多元共掺杂外延层为稀土、Ga、N、Te共掺杂外延层；所述第二多元共掺杂外延层为N、In共掺杂外延层；所述第一多元共掺杂外延层中稀土的掺杂浓度为1×1010atomscm3-5×1011atomscm3；Ga的掺杂浓度为2×1011atomscm3-4×1012atomscm3；N的掺杂浓度为1×1016atomscm3-5×1019atomscm3；Te的掺杂浓度为1×108atomscm3-5×109atomscm3；所述稀土为镧、铈、镨中的任意一种；所述第二多元共掺杂外延层中N的掺杂浓度为1×1014atomscm3-5×1015atomscm3；In的掺杂浓度为1×108atomscm3-8×109atomscm3；所述衬底为碳化硅衬底；所述衬底的厚度为300-1000μm；所述缓冲层为碳化硅缓冲层；所述缓冲层的厚度为1-2μm；所述第一多元共掺杂外延层为第一多元共掺杂碳化硅外延层，所述第一多元共掺杂外延层的厚度为0.5-2.5μm，所述第二多元共掺杂外延层为第二多元共掺杂碳化硅外延层，所述第二多元共掺杂外延层的厚度为1-3μm，所述碳化硅外延层的厚度为1-5μm。

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