恭喜长江先进存储产业创新中心有限责任公司刘峻获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利一种三维存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210106392.4，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权一种三维存储器及其形成方法是由刘峻;鞠韶复设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种三维存储器及其形成方法，其中方法包括：提供半导体前端器件，所述半导体前端器件采用预设的前道工序形成；所述半导体前端器件包括外围区和阵列区；采用后道工序，分别在所述半导体前端器件的外围区形成外围区器件，以及，在所述阵列区形成嵌入式相变存储单元阵列。
本发明授权一种三维存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体前端器件，所述半导体前端器件采用预设的前道工序形成；所述半导体前端器件包括外围区和阵列区；采用后道工序，在所述半导体前端器件的外围区表面依次形成IO电路、MCU逻辑电路、模拟电路和PCM控制电路，其中，所述IO电路、所述MCU逻辑电路、所述模拟电路和所述PCM控制电路构成外围区器件；以及，采用后道工序，在所述阵列区形成嵌入式相变存储单元阵列。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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