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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010347007.6，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装是由全光宰;金东奎;朴正镐;张延镐设计研发完成，并于2020-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装在说明书摘要公布了：公开了一种半导体封装，包括重新分布衬底以及重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片。重新分布衬底包括凸块下图案、覆盖凸块下图案的侧壁的下介电层以及下介电层上的第一重新分布图案。第一重新分布图案包括第一线路部分。凸块下图案在顶表面处的宽度大于凸块下图案在底表面处的宽度。凸块下图案的厚度大于第一线路部分的厚度。

本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括：重新分布衬底；以及所述重新分布衬底的顶表面上的半导体芯片，其中，所述重新分布衬底包括：凸块下图案；下介电层，覆盖所述凸块下图案的侧壁；以及所述下介电层上的第一重新分布图案，其中，所述第一重新分布图案包括：第一导电层，在所述下介电层的顶表面上，并且包括第一渐缩过孔部分和第一线路部分，所述第一线路部分沿水平方向延伸并且连接到所述第一渐缩过孔部分；以及第一种子层，在所述下介电层的顶表面与所述第一导电层之间，所述第一种子层覆盖所述第一渐缩过孔部分的底表面和侧表面以及所述第一线路部分的底表面，其中，所述第一种子层的覆盖所述第一渐缩过孔部分的底表面直接接触所述凸块下图案的顶表面，其中，所述凸块下图案的顶表面与所述下介电层的顶表面处于相同的竖直高度处，或者所述凸块下图案的顶表面处于比所述下介电层的顶表面的竖直高度低的高度处处，其中，所述凸块下图案在顶表面处的宽度大于所述凸块下图案在底表面处的宽度，其中，所述凸块下图案从所述凸块下图案的顶表面向所述凸块下图案的底表面变窄，以形成渐缩形状，所述渐缩形状的侧表面从所述凸块下图案的顶表面向所述凸块下图案的底表面线性地延伸，以及其中，所述凸块下图案的厚度大于所述第一线路部分的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。