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龙图腾网恭喜绿芯存储科技(厦门)有限公司申请的专利具有垂直浮动栅极的NOR存储单元的制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113597676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080023129.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有垂直浮动栅极的NOR存储单元的制造工艺是由叶炳辉设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有垂直浮动栅极的NOR存储单元的制造工艺在说明书摘要公布了：一种电可擦可编程非易失性存储单元，包括具有第一衬底区域和在横向方向上与所述第一衬底区域分离的沟槽区域、位于所述第一衬底区域和所述沟槽区域底部之间的沟道区域、与所述第一沟道部分绝缘并设置在所述第一沟道部分上方的导电控制栅极、与所述沟槽区域的底部和侧壁部分绝缘的导电浮动栅极、设置在所述控制栅极和所述第二浮动栅极部分之间的所述第二沟道部分上方的绝缘区域、与所述浮动栅极绝缘并电连接到所述衬底的所述沟槽区域的导电源极线以及与所述浮动栅极的尖端绝缘并设置在所属尖端上方的导电擦除栅极。

本发明授权具有垂直浮动栅极的NOR存储单元的制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种在集成电路的存储单元区域中制造电可擦可编程非易失性存储单元以及在所述存储单元区域外的集成电路外围区域中制造逻辑晶体管的方法，所述方法包括：同时，在所述存储单元区域和所述外围区域：在所述集成电路的衬底的顶面上形成栅极介电层；形成所述栅极介电层之后，在所述栅极介电层上方沉积栅极导体材料；在所述存储单元区域中，形成所述栅极导体材料后：在所述衬底中形成沟槽；形成垂直浮动栅极，所述垂直浮动栅极具有设置在所述沟槽内的一部分；在所述衬底中所述沟槽的下方形成源极区域；形成与所述垂直浮动栅极相邻的源极线，所述源极线具有设置在所述沟槽内的一部分；在延伸于所述垂直浮动栅极上方的隧穿介电层的一部分上方形成擦除栅极；同时：在所述存储单元区域中，利用所述栅极导体材料的一部分形成字线，所述字线包括所述电可擦可编程非易失性存储单元的控制栅极，在所述外围区域中形成所述逻辑晶体管的晶体管栅极。

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