恭喜台湾积体电路制造股份有限公司蔡昕翰获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利金属栅极调制器及其原位形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011480755.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权金属栅极调制器及其原位形成方法是由蔡昕翰;吴仲强;洪正隆;张文;徐志安设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属栅极调制器及其原位形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及金属栅极调制器及其原位形成方法。一种方法，包括：在半导体区域上形成栅极电介质；在栅极电介质之上沉积功函数层；在功函数层之上沉积硅层；以及在硅层之上沉积胶层。功函数层、硅层和胶层是原位沉积的。该方法进一步包括在胶层之上沉积填充金属；以及执行平坦化工艺，其中，胶层、硅层和功函数层的剩余部分形成栅极电极的部分。
本发明授权金属栅极调制器及其原位形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路器件的方法，包括： 在第一半导体区域上形成第一栅极电介质； 在所述第一栅极电介质之上沉积第一功函数层； 在所述第一功函数层之上沉积第一硅层； 在所述第一硅层之上沉积第一胶层，其中，所述第一功函数层、所述第一硅层和所述第一胶层是原位沉积的； 在所述第一胶层之上沉积第一填充金属；以及 执行平坦化工艺，其中，所述第一胶层、所述第一硅层和所述第一功函数层的剩余部分形成栅极电极的部分， 其中，所述第一硅层和所述第一胶层之间的界面不含氧，其中，所述第一硅层是导电层，并且其中，所述第一胶层包括氮化钛或氮化钽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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